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丝印:25202;Package:DSBGA;CSD25202W15 20-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low-Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Gate ESD Protection –3 kV • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This 21 mΩ, 20 V device is designed to deliver the 文件:471.48 Kbytes 页数:11 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
丝印:25202;Package:DSBGA;CSD25202W15 20-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low-Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Gate ESD Protection –3 kV • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This 21 mΩ, 20 V device is designed to deliver the 文件:471.48 Kbytes 页数:11 Pages | TI 德州仪器 | TI |
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