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RM2020ES6	文件：400.46 Kbytes Page：9 Pages	丝印：2020；Package：SOT-23-6L；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features N-Channel Vos = 20V,lp =0.75A Rds(on) 6KV, HBM (Gate-Source Zenner) High power and current handing capab 文件：400.46 Kbytes 页数：9 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM2020ES9	文件：331.88 Kbytes Page：9 Pages	丝印：2020；Package：SOT-363-6L；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features N-Channel Vds = 20Vjo =0.75A Rds(on) 文件：331.88 Kbytes 页数：9 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
TPS2020D	文件：859.75 Kbytes Page：30 Pages	丝印：2020；Package：SOIC；POWER-DISTRIBUTION SWITCHES 1FEATURES · 33-mΩ (5-V Input) High-Side MOSFET Switch · Short-Circuit and Thermal Protection · Overcurrent Logic Output · Operating Range . . . 2.7 V to 5.5 V · Logic-Level Enable Input · Typical Rise Time . . . 6.1 ms · Undervoltage Lockout · Maximum Standby Supply Current . . . 10 μA · 文件：859.75 Kbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS2020D.A	文件：859.75 Kbytes Page：30 Pages	丝印：2020；Package：SOIC；POWER-DISTRIBUTION SWITCHES 1FEATURES · 33-mΩ (5-V Input) High-Side MOSFET Switch · Short-Circuit and Thermal Protection · Overcurrent Logic Output · Operating Range . . . 2.7 V to 5.5 V · Logic-Level Enable Input · Typical Rise Time . . . 6.1 ms · Undervoltage Lockout · Maximum Standby Supply Current . . . 10 μA · 文件：859.75 Kbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS2020DR	文件：859.75 Kbytes Page：30 Pages	丝印：2020；Package：SOIC；POWER-DISTRIBUTION SWITCHES 1FEATURES · 33-mΩ (5-V Input) High-Side MOSFET Switch · Short-Circuit and Thermal Protection · Overcurrent Logic Output · Operating Range . . . 2.7 V to 5.5 V · Logic-Level Enable Input · Typical Rise Time . . . 6.1 ms · Undervoltage Lockout · Maximum Standby Supply Current . . . 10 μA · 文件：859.75 Kbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS2020DR.A	文件：859.75 Kbytes Page：30 Pages	丝印：2020；Package：SOIC；POWER-DISTRIBUTION SWITCHES 1FEATURES · 33-mΩ (5-V Input) High-Side MOSFET Switch · Short-Circuit and Thermal Protection · Overcurrent Logic Output · Operating Range . . . 2.7 V to 5.5 V · Logic-Level Enable Input · Typical Rise Time . . . 6.1 ms · Undervoltage Lockout · Maximum Standby Supply Current . . . 10 μA · 文件：859.75 Kbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS2020IDRQ1	文件：737.15 Kbytes Page：28 Pages	丝印：2020I；Package：SOIC；POWER-DISTRIBUTION SWITCHES 1FEATURES • Qualified for Automotive Applications • 33-mΩ (5-V Input) High-Side MOSFET Switch • Short-Circuit and Thermal Protection • Overcurrent Logic Output • Operating Range: 2.7 V to 5.5 V • Logic-Level Enable Input • Typical Rise Time: 6.1 ms • Undervoltage Lockout • Maximum Standby 文件：737.15 Kbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS2020IDRQ1.A	文件：737.15 Kbytes Page：28 Pages	丝印：2020I；Package：SOIC；POWER-DISTRIBUTION SWITCHES 1FEATURES • Qualified for Automotive Applications • 33-mΩ (5-V Input) High-Side MOSFET Switch • Short-Circuit and Thermal Protection • Overcurrent Logic Output • Operating Range: 2.7 V to 5.5 V • Logic-Level Enable Input • Typical Rise Time: 6.1 ms • Undervoltage Lockout • Maximum Standby 文件：737.15 Kbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
2020	文件：95.49 Kbytes Page：2 Pages	HIGH VOLTAGE CAPACITORS MONOLITHIC CERAMIC TYPE 文件：95.49 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH
2020	文件：52 Kbytes Page：2 Pages	Directional Couplers Mini, Octave Bandwidth Description These miniature couplers are designed to provide sampling of the RF Power propagating in one direction on a transmission line. Features • Smallest and Lightest Couplers Available • 0.5 through 18 GHz, including Wideband Units • High Directivity - Low VSWR • Meets MIL-E-5400 Envir 文件：52 Kbytes 页数：2 Pages	MA-COM	MA-COM

详细参数

型号：
2020
制造商：
Texas Instruments
功能描述：
IC 0.3A PWR DIST SWITCH 8-SOIC
功能描述：
IC, 0.3A PWR DIST SWITCH 8-SOIC
功能描述：
IC, 0.3A PWR DIST SWITCH 8-SOIC; Primary Input
Voltage：
5.5V; No. of
Outputs：
1; Output
Current：
200mA; Voltage Regulator Case
Style：
SOIC; No. of
Pins：
8; Operating Temperature
Min：
-40C; Operating Temperature
Max：
85C;
SVHC：
No SVHC ;RoHS
Compliant：
Yes

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