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RM2020ES6

丝印:2020;Package:SOT-23-6L;N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features N-Channel Vos = 20V,lp =0.75A Rds(on) 6KV, HBM (Gate-Source Zenner) High power and current handing capab

文件:400.46 Kbytes 页数:9 Pages

RECTRON

丽正国际

RM2020ES6

MOSFET

Rectron

丽正国际

RM250UZ-24

MITSUBISH
模块

MITSUBISH

RM412-086-192-9500-918

AIRBORN
N/A

RM412-220-192-9501-919

AIRBORN
coc

技术参数

  • Id @ 25C (A):

    0.75 A

  • Rds-on (typ) (mOhms):

    270 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ:

    1.2 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W):

    0.15 W

  • Vgs(th) (typ):

    0.54 V

  • Input Capacitance (Ciss):

    79 pF

  • Polarity:

    N-Channel

  • Mounting Style:

    SMD/SMT

  • Package / Case:

    SOT-23-6L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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N/A
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SOT-363
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模块
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TE/泰科
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功率继电器
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原装正品现货供应商原厂货源渠道订货
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SCHRACK
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更多RM2020ES6供应商 更新时间2025-10-4 11:06:00