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1SS385	文件：124.09 Kbytes Page：2 Pages	DIODE (HIGH SPEED SWITCHING) High Speed Switching • Low forward voltage: VF (2) = 0.23V (typ.) @IF = 5mA • Small package 文件：124.09 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS385	文件：193.35 Kbytes Page：3 Pages	High Speed Switching 文件：193.35 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS385	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small-signal Schottky barrier diode Feature：Low VF\nInternal Connection：Common cathode\nNumber of Circuits：2\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Average Forward Current IO 0.1 A \nReverse Voltage VR 10 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
1SS385F	文件：109.94 Kbytes Page：2 Pages	DIODE (HIGH SPEED SWITCHING) High Speed Switching • Low forward voltage: VF = 0.23V (typ.) @IF = 5mA • Ultra-small package 文件：109.94 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS385FV	文件：210.85 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Switching Applications High-Speed Switching Applications • Low forward voltage: VF = 0.23 V (typ.) @IF = 5 mA • Ultra-small package 文件：210.85 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS385_07	文件：193.35 Kbytes Page：3 Pages	High Speed Switching 文件：193.35 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS385_14	文件：265.66 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type 文件：265.66 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS385F	文件：191.44 Kbytes Page：3 Pages	High Speed Switching 文件：191.44 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS385F_07	文件：191.44 Kbytes Page：3 Pages	High Speed Switching 文件：191.44 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS385FV_14	文件：238.35 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type 文件：238.35 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Product Category：
Small-signal Schottky barrier diode
internal_connection：
Common cathode
IF/IF(AV)/IO (Max) (A)：
0.1
VR/VRRM (Max)(V)：
10
IR/IRRM (Max)(mA)：
0.02
Features：
Low VF
Number of Circuits：
2
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
SSM
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.7
Package Size(mm^2)：
2.56

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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