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1SS184	文件：129.139 Kbytes Page：2 Pages	DIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPLICATION) UltraHighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage:SC-59 ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:T=2.2pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
1SS184W	文件：421.49 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode Features •Smallpackage •Lowforwardvoltage •Fastreverserecoverytime •Smalltotalcapacitance	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
1SS184W-CAR	文件：200.28 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode FEATURES Lowforwardvoltage Fastreverserecoverytime -CARforautomotiveandotherapplications requiringuniquesiteandcontrolchange requirements;AEC-Q101qualifiedandPPAP capable	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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DIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPLICATION)

UltraHighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage:SC-59 ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:T=2.2pF(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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1SS184W-CAR

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SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode

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详细参数

型号：
1SS184(T5L
功能描述：
二极管 - 通用，功率，开关 Ultra High-Speed 85V 300mA 150mW 0.9V VF
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Switching Diodes
峰值反向电压：
600 V
正向连续电流：
200 A
最大浪涌电流：
800 A
恢复时间：
2000 ns
正向电压下降：
1.25 V
最大反向漏泄电流：
300 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
ISOTOP
封装：
Tube

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更多1SS184(T5L供应商更新时间2025-5-17 17:00:00

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