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1SS184	文件：129.139 Kbytes Page：2 Pages	DIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPLICATION) UltraHighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage:SC-59 ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:T=2.2pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SS184	文件：197.04 Kbytes Page：3 Pages	UltraHighSpeedSwitchingApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SS184	文件：280.68 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●LowforwardvoltageVF=0.9V(typ). ●Smalltotalcapacitance. ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ). APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS184	文件：135.84 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE Features •Smallpackage •Lowforwardvoltage •Fastreverserecoverytime •Smalltotalcapacitance Applications •Ultrahighspeedswitchingapplication	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1SS184	文件：221.93 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSwitchingDiodes100mAMPERES80VOLTS SWITCHINGDIODE100mAMPERES80VOLTS Features: FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion HighConductance ForGeneralPurposeSwitchingApplications	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
1SS184	文件：393.38 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiode FEATURES ●Lowforwardvoltage ●Fastreverserecoverytime	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
1SS184	文件：35.26 Kbytes Page：1 Pages	ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION Features ●SmallPackage ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(Typ.) ●FastReverseRecoveryTime:trr=1.6ns(Typ.) ●SmallTotalCapacitance:CT=0.9pF(Typ.)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1SS184	文件：204 Kbytes Page：3 Pages	150mWHighSpeedSwitchingDiodes80Volt Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LowForwardVoltage •LowLeakageCurrent •SurfaceMountSOT-23Package •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1SS184	文件：92.54 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23SWITCHINGDIODE	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
1SS184	文件：180.25 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode ■Features ●VR80V ●IO100mA ■Applications ●Highspeedswitchingapplication ●Lowforwardvoltage	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
1SS184	文件：463.3 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingDiode Features ●SmallPackage ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(Typ.) ●FastReverseRecoveryTime:trr=1.6ns(Typ.) ●SmallTotalCapacitance:CT=0.9pF(Typ.)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1SS184	文件：180.89 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS184	文件：104.04 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODES SWITCHINGDIODES FEATURES Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
1SS184	文件：2.05321 Mbytes Page：2 Pages	100mASurfaceMountSwitchingDiode Features ●Lowforwardvoltage VF(3)=0.9V(typ). ●Fastswitching. ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
1SS184	文件：63.62 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSWITCHINGDIODE FEATURES •Smallpackage •Lowforwardvoltage •Smalltotalcapacitance •Fastreverserecoverytime	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG
1SS184	文件：138.25 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS184	文件：68.61 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:100mA ReverseVoltage VR:80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	KISEMICONDUCTORKwang Myoung I.S. CO.,LTD 明阳国际贸易广州市明阳国际贸易有限公司	KISEMICONDUCTOR
1SS184	文件：246.6 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●Lowforwardvoltage VF(3)=0.9V(typ). ●Fastswitching. ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ) APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1SS184	文件：238.56 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes Features ◇Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ◇Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1SS184	文件：2.36273 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SwitchingDiodes Features ●Lowforwardvoltage ●Fastreverserecoverytime Applications ●Extremefastswitches	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI

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详细参数

型号：
1SS184(T5L,F,T)
功能描述：
二极管 - 通用，功率，开关 Ultra High-Speed 85V 300mA 150mW 0.9V VF
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Switching Diodes
峰值反向电压：
600 V
正向连续电流：
200 A
最大浪涌电流：
800 A
恢复时间：
2000 ns
正向电压下降：
1.25 V
最大反向漏泄电流：
300 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
ISOTOP
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市弘为电子有限公司	1SS184(T5L,F,T)	TOS	22+	NA	30000	100%全新原装假一赔十	询价
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更多1SS184(T5L,F,T)供应商更新时间2024-5-4 11:30:00

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