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1SS193	文件：127.44 Kbytes Page：2 Pages	DIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION) UltraHighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage:SC-59 ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SS193	文件：185.55 Kbytes Page：3 Pages	UltraHighSpeedSwitchingApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SS193	文件：361.6 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●LowforwardvoltageVF(3)=0.9V(typ). ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ). ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ). APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS193	文件：34.99 Kbytes Page：1 Pages	ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION Features ●SmallPackage ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(Typ.) ●FastReverseRecoveryTime:trr=1.6ns(Typ.) ●SmallTotalCapacitance:CT=0.9pF(Typ.)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1SS193	文件：221.93 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSwitchingDiodes100mAMPERES80VOLTS SWITCHINGDIODE100mAMPERES80VOLTS Features: FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion HighConductance ForGeneralPurposeSwitchingApplications	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
1SS193	文件：92.18 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23SWITCHINGDIODE	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
1SS193	文件：393.05 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SwitchingDIODES FEATURES •Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) •Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
1SS193	文件：68.36 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:100mA ReverseVoltage VR:80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
1SS193	文件：122.09 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODES SWITCHINGDIODES FEATURES Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
1SS193	文件：1.42598 Mbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1SS193	文件：244.47 Kbytes Page：2 Pages	SwitChingDiodes Features ◇Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ◇Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1SS193	文件：209.01 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes SWITCHINGDIODES FEATURES Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
1SS193	文件：785.21 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes FEATURES •Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) •Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	ZHAOXINGWEIZhaoxingwei Electronics ., Ltd 兆兴威深圳市兆兴威电子有限公司	ZHAOXINGWEI
1SS193	文件：88.27 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDIODE SWITCHINGDIODE FEATURES •Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25℃) •ForwardCurrent IF:100mA •ReverseVoltage VR:80V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
1SS193	文件：77.69 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES ●LowforwardvoltageVF(3)=0.9V(typ). ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ). ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ). APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	KISEMICONDUCTORKwang Myoung I.S. CO.,LTD 明阳国际贸易广州市明阳国际贸易有限公司	KISEMICONDUCTOR
1SS193	文件：243.39 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●LowforwardvoltageVF(3)=0.9V(typ). ●Fastswitching. ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ) APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1SS193	文件：1.36627 Mbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode SwitchingDiode FEATURES •Lowforwardvoltage •Fastreverserecoverytime	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
1SS193	文件：125.42 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS193	文件：171.38 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS193	文件：1.98076 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SwitchingDiodes Features ●Lowforwardvoltage ●Fastreverserecoverytime Applications ●Extremefastswitches	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI

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详细参数

型号：
1SS193(T5L,M)
制造商：
Toshiba America Electronic Components

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	1SS193(T5L,PP,F)	TOSHIBA/东芝	23+	SOT23-3	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多1SS193(T5L,M)供应商更新时间2024-5-10 11:33:00

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