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1SS286	文件：27.4 Kbytes Page：6 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforVariousDetector,HighSpeedSwitching Features •Verylowreversecurrent. •Detectionefficiencyisverygood. •Smallglasspackage(MHD)enableseasymountingandhighreliability.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
1SS286	文件：65.36 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforVariousDetector,HighSpeedSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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文件：27.4 Kbytes

Page：6 Pages

SiliconSchottkyBarrierDiodeforVariousDetector,HighSpeedSwitching

Features •Verylowreversecurrent. •Detectionefficiencyisverygood. •Smallglasspackage(MHD)enableseasymountingandhighreliability.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Hitachi

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SiliconSchottkyBarrierDiodeforVariousDetector,HighSpeedSwitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	1SS286TD-E	RENESAS/瑞萨	23+		284575	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
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更多1SS286(TD-E)供应商更新时间2025-5-28 11:06:00