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1S1555	文件：82.12 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHING DIODES	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
1S1555	文件：54.16 Kbytes Page：1 Pages	SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE FEATURES ◇Siliconepitaxialplanardiode ◇Highspeedswitchingdiode ◇ThesediodesarealsoavailableinglasscaseDO-34	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1S1555	文件：74.5 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Epitaxial Planner Type Diode SiliconEpitaxialPlannerTypeDiode GENERALPURPOSEAPPLICATIONFORDETECTORANDRECTIFIER. FEATURES: •LowForwardVoltage:VF=1.0V(Typ.) •SmallTotalCapacitance:CT=1.3pF(Typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
1S1555	文件：133.52 Kbytes Page：1 Pages	0.1A Axial Leaded Small Signal Switching Diode Features ●Siliconepitaxialplanardiode ●Highspeedswitchingdiode ●ThesediodesarealsoavailableinglasscaseDO-34	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
1S1555	文件：197.36 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Switching Diodes Features ◇Siliconepitaxialplanardiode ◇Highspeedswitchingdiode ◇ThesediodesarealsoavailableinglasscaseDO-34	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1S1585	文件：405.25 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Type ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS. FEATURES: •LowForwardVoltage:Vf=1.0V(Max.) •SmallTotalCapacitance:Ct=2pF(Max.) •FastReverseRecoveryTime:Trr=2ns(Max.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
1S1586	文件：405.25 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Type ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS. FEATURES: •LowForwardVoltage:Vf=1.0V(Max.) •SmallTotalCapacitance:Ct=2pF(Max.) •FastReverseRecoveryTime:Trr=2ns(Max.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
1S1586	文件：25.71 Kbytes Page：1 Pages	HIGH SPEED SWITCHING DIODE FEATURES: •Highswitchingspeed:max.2ns •Continuousreversevoltage:max.50V •Repetitivepeakreversevoltage:max.55V •Pb/RoHSFree	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1S1587	文件：405.25 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Type ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS. FEATURES: •LowForwardVoltage:Vf=1.0V(Max.) •SmallTotalCapacitance:Ct=2pF(Max.) •FastReverseRecoveryTime:Trr=2ns(Max.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
1S1587	文件：25.71 Kbytes Page：1 Pages	HIGH SPEED SWITCHING DIODE FEATURES: •Highswitchingspeed:max.2ns •Continuousreversevoltage:max.50V •Repetitivepeakreversevoltage:max.55V •Pb/RoHSFree	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI

详细参数

型号：
1S15
制造商：
JINANJINGHENG
制造商全称：
Jinan Jingheng(Group) Co.,Ltd
功能描述：
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	1S1585	TOSHIBA	24+		3000	袋装	询价
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深圳市永贝尔科技有限公司	1S1555	BILIN	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	1S1588V	TOSHIBA/东芝	23+	NA	45000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价

更多1S15供应商更新时间2025-7-23 11:04:00

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