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1N5819M	文件：59.09 Kbytes Page：2 Pages	1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features ●HighCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingforTransientProtection ●GlassPackageforHighReliability ●PackagedforSurfaceMountApplications	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5819M	文件：58.05 Kbytes Page：2 Pages	1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5819M-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-213AB，MELF（玻璃）；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
1N5819PT	文件：81.31 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGERANGE20-40VoltsCURRENT1.0Ampere	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
1N5819-R	文件：586.61 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadSchottkyDiode	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
1N5819RL	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819RL	文件：61.24 Kbytes Page：5 Pages	LOWDROPPOWERSCHOTTKYRECTIFIER DESCRIPTION AxialPowerSchottkyrectifiersuitedforSwitchModePowerSuppliesandhighfrequencyDCtoDCconverters.PackagedinDO41thesedevicesareintendedforuseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,polarityprotectionandsmallbatterychargers. FEATURESANDBENEF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
1N5819RL	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiersSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS1.0AMPERE20,30and40VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819RLG	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819RLG	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiersSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS1.0AMPERE20,30and40VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
1N5819M
功能描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMD MELF
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列：
-
标准包装：
100
二极管类型：
标准电压
-(Vr)（最大）：
50V 电流 -
平均整流(Io)：
6A 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）：
1.4V @ 6A
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)：
300ns 电流 - 在 Vr
时反向漏电：
15µA @ 50V 电容@ Vr,
F：
-
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装：
DO-203AA
包装：
散装
其它名称：
*1N3879

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市芯诚实创科技有限公司	1N5819M	VISHAY / General Semiconductor	2022	DO-213AB / LL41	1600	全新原装,房间现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	1N5819M	VISHAY/GeneralSemiconduc	24+	DO-213ABLL41	21200	新进库存/原装	询价
深圳市弘为电子有限公司	1N5819M	GS	24+	1A圆型	25000	原装现货假一罚十	询价
深圳市振宏微科技有限公司	1N5819M	LL41	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	1N5819M	VISHAY	25+23+	LL-41	30956	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	1N5819M	VISHAY/威世	23+	LL41	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	1N5819M	GS	23+	1A圆型	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市英瑞尔电子科技有限公司	1N5819M	ITT	24+		598000	原装现货假一赔十	询价
深圳市恒佳微电子有限公司	1N5819M	VISHAY/威世	2020+	LL41	5000	原装现货,优势渠道订货假一赔十	询价
深圳市威雅利发展有限公司	1N5819M	GS	01+	1A圆型	10000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价

更多1N5819M供应商更新时间2025-7-24 17:28:00

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