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1N5819HS	文件：560.56 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5819HW	文件：103.31 Kbytes Page：4 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtectionApplication •Lead,Hal	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5819HW	文件：82.75 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5819HW	文件：61.61 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER DescriptionandApplications ThedeviceisasinglerectifierofferinglowVFandexcellenthightemperaturestability.Thisdeviceisidealforuseingeneralrectificationapplications: •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters •FreeWheeling •PolarityProtectionApplication Feat	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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1N5819HW	文件：399.22 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACE-MOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FeaturesandBenefits HighSurgeCapability LowPowerLoss,HighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop GuardRingDieConstructionforTransientProtection TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5819HW-FDICT-ND	文件：1.13333 Mbytes Page：30 Pages	LAUNCHXL-F28379DOverview	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
1N5819HWQ	文件：318.66 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features HighSurgeCapability LowPowerLoss,HighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop GuardRingDieConstructionforTransientProtection TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Qu	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5819HWQ	文件：399.22 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACE-MOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FeaturesandBenefits HighSurgeCapability LowPowerLoss,HighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop GuardRingDieConstructionforTransientProtection TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5819L	文件：152.37 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Epitaxialconstruction	BYTES Bytes	BYTES

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