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1N5817W	文件：277.45 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
1N5817W	文件：287.13 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
1N5817W	文件：1.70938 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23-3LPlastic-EncapsulateDiodes SchottkyRectifier Features ●VR20-40V ●IFAV1A Applications ●Rectifier	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
1N5817W	文件：383.39 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5817W	文件：319.46 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYDIODESSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
1N5817W	文件：241.91 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features: ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtec	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5817W	文件：233.87 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability ●Lowforwardvoltagedrop ●HighSurgeCapability	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N5817W	文件：470.76 Kbytes Page：2 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode	BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd. 百特森深圳市百特森电子有限公司	BYTESONIC
1N5817W	文件：336.38 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE Features TheplasticpackagecarriesUnderwriters LaboratoryFlammabilityClassification94V-0 Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Hightemperaturesolderingguaranteed:260/10°C seconds,0.375(9.5mm)leadlength,5lbs.(2.3kg) tension Thisi	SMCDIODESMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
1N5817WB	文件：227.07 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode 1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode Plasticsurfacemountedpackage;2leads	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
1N5817WB	文件：135.91 Kbytes Page：2 Pages	1ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE 1ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Plasticsurfacemountedpackage;2leads	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5817WB	文件：47.53 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODES SCHOTTKYBARRIERDIODES PRV:20-40Volts IO:1.0Ampere MECHANICALDATA: Case:SOD-123 Weight:0.01gram(approximately) 1N5817WBMarkingCode:A0 1N5818WBMarkingCode:ME *1N5819WBMarkingCode:SR	EIC EIC	EIC
1N5817WS	文件：470.3 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES ♦LowForwardVoltageDrop ♦GuardRingConstructionforTransientProtection ♦NegligibleReverseRecoveryTime ♦LowCapacitance ♦LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives MECHANICALDATA ♦Case:SOD-323 ♦Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method2026 ♦Appro	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5817WS	文件：603.17 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features •LowForwardVoltageDrop •GuardRingConstructionforTransientProtection •NegligibleReverseRecoveryTime •LowReverseCapacitance •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
1N5817WS	文件：523.419 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode	BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd. 百特森深圳市百特森电子有限公司	BYTESONIC
1N5817WS	文件：1.232 Mbytes Page：3 Pages	Schottkybarrierdiode Features Generalrectification LowVF;LowIR Highreliability	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
1N5817WS	文件：99.1 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiodes Features ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters ●Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N5817WS	文件：530.81 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features ●Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ●Guardingforovervoltageprotection ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability ●Lowforwardvoltagedrop ●Highsurgecapability ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5817WS	文件：557.38 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	FS First Silicon Co., Ltd	FS
1N5817WV	文件：287.13 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON

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产品属性

产品编号：
1N5817H
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
55pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-204AL（DO-41）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL

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