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1N5817-T3

1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features ● Schottky Barrier Chip ● Guard Ring Die Construction for Transient Protection ● High Current Capability ● Low Power Loss, High Efficiency ● High Surge Current Capability ● For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free Wheeling, and Polarity Protection Applications

文件:36.9 Kbytes 页数:3 Pages

WTE

Won-Top Electronics

1N5817-T3

1.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE

文件:47.27 Kbytes 页数:4 Pages

WTE

Won-Top Electronics

1N5818

DO-41

MIC/TOSHIBA

1N5819

TSOP

Atmel

爱特梅尔

上传:澳旭兴电子有限科技公司

1N5819

SOD123

CJ/长电

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更多1N5817-T3供应商 更新时间2025-12-2 17:00:00