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1N5530A	文件：243.11 Kbytes Page：2 Pages	0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES FEATURES * Low zener noise specified * Low zener impedance * Low leakage current * Hermetically sealed glass package 文件：243.11 Kbytes 页数：2 Pages	JGD 固锝电子	JGD
1N5530A-1	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW • 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • ZENER DIODE, 500mW • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 文件：113.21 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
1N5530AUR	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW • 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • ZENER DIODE, 500mW • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 文件：113.21 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
1N5530AUR-1	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW • 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • ZENER DIODE, 500mW • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 文件：113.21 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
1N5530B	文件：99.16 Kbytes Page：2 Pages	LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • 1N5518-1 THRU 1N5546B-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • LOW NOISE CHARACTERISTICS • DOUBLE PLUG CONSTRUCTION • METALLURGICALLYBONDED 文件：99.16 Kbytes 页数：2 Pages	CDI-DIODE	CDI-DIODE
1N5530B	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW • 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • ZENER DIODE, 500mW • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 文件：113.21 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
1N5530B	文件：243.11 Kbytes Page：2 Pages	0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES FEATURES * Low zener noise specified * Low zener impedance * Low leakage current * Hermetically sealed glass package 文件：243.11 Kbytes 页数：2 Pages	JGD 固锝电子	JGD
1N5530B	文件：295.88 Kbytes Page：3 Pages	0.5W Zener Diode Features  Sharp Reverse Characteristics  Low Reverse Current Levels  High Reliability Gold Back Metal  High Reliability Tested Grades. 文件：295.88 Kbytes 页数：3 Pages	SS	SS
1N5530B-1	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW • 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • ZENER DIODE, 500mW • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 文件：113.21 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
1N5530B-1	文件：99.16 Kbytes Page：2 Pages	LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • 1N5518-1 THRU 1N5546B-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • LOW NOISE CHARACTERISTICS • DOUBLE PLUG CONSTRUCTION • METALLURGICALLYBONDED 文件：99.16 Kbytes 页数：2 Pages	CDI-DIODE	CDI-DIODE

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技术参数

Case：
DO-35
Configuration/ Description：
Single
PD MAX：
400mW
VZ NOM：
18V
VZ MIN：
17.82V
VZ MAX：
18.18V
ZZT MAX：
100Ω
@IZT：
1mA
IR MAX：
0.01μA
@VR：
16.2V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	1N553	MICROSEMI	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
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深圳市中联芯电子有限公司	1N553	MOTOROLA/摩托罗拉	2023+	MODULE	495	主打螺丝模块系列	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	1N5532BUR-1JANTXV	MICROSEMI	24+	SMD	1680	MICROSEMI专营品牌进口原装现货假一赔十	询价
深圳市昊创电子有限公司	1N5535BUR-1JANTXV	MSC	专业军工	NA	1000	只做原装正品军工级部分订货	询价
深圳市纳立科技有限公司	1N5535BUR-1JANTXV	MSC	三年内		1983	只做原装正品	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	1N5539BUR-1	Microsemi	1942+	N/A	908	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市科雨电子有限公司	1N5536B	MICROSEMI	25+	DO-35	1675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
标准国际(香港)有限公司	1N5532B-1JANTX	MSC	25+		70	公司优势库存热卖中!!!	询价
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更多1N553供应商更新时间2025-10-31 20:07:00

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