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1N5539B

LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS

文件:114.68 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

1N5539BUR-1

ZENER DIODE, 500mW

文件:111.15 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

1N5530A

Zener Diodes

FEATURES:• 1N5518-1 THRU 1N5546B-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXVPER MIL-PRF-19500/437• LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS• LOW NOISE CHARACTERISTICS• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION• METALLURGICALLY BONDED

Microchip

微芯科技

1N5530A-HR

0.5W 10V 10% Zener Diode

This Zener Diode is packaged in DO-35, which has a power dissipation of 0.5W.\n\n Available as High Reliability device as per MIL-PRF-19500/435 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.

Digitron

1N5530/TR

Package:DO-204AH,DO-35,轴向;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 描述:VOLTAGE REGULATOR

Microchip

微芯科技

1N5530A

Package:DO-204AH,DO-35,轴向;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 描述:VOLTAGE REGULATOR

Microchip

微芯科技

1N5530A/TR

Package:DO-204AH,DO-35,轴向;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 描述:VOLTAGE REGULATOR

Microchip

微芯科技

技术参数

  • Case:

    DO-35

  • Configuration/ Description:

    Single

  • PD MAX:

    400mW

  • VZ NOM:

    18V

  • VZ MIN:

    17.82V

  • VZ MAX:

    18.18V

  • ZZT MAX:

    100Ω

  • @IZT:

    1mA

  • IR MAX:

    0.01μA

  • @VR:

    16.2V

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MICROSEMI
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更多1N553供应商 更新时间2025-11-2 9:05:00