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1N5408-T3	文件：39.66 Kbytes Page：3 Pages	3.0A SILICON RECTIFIER - Diffused Junction - Low Forward Voltage Drop - High Current Capability - High Reliability - High Surge Current Capability 文件：39.66 Kbytes 页数：3 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
1N5408-TB	文件：39.66 Kbytes Page：3 Pages	3.0A SILICON RECTIFIER - Diffused Junction - Low Forward Voltage Drop - High Current Capability - High Reliability - High Surge Current Capability 文件：39.66 Kbytes 页数：3 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
1N5408_17	文件：103.17 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Rectifier 文件：103.17 Kbytes 页数：2 Pages	NAINA	NAINA
1N5408-B	文件：67.85 Kbytes Page：3 Pages	3.0A RECTIFIER 文件：67.85 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
1N5408D	文件：180.64 Kbytes Page：4 Pages	2000V General Purpose Rectifier 文件：180.64 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
1N5408DA0	文件：180.64 Kbytes Page：4 Pages	2000V General Purpose Rectifier 文件：180.64 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
1N5408DA0G	文件：180.64 Kbytes Page：4 Pages	2000V General Purpose Rectifier 文件：180.64 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
1N5408E354	文件：74.34 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Plastic Rectifier 文件：74.34 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
1N5408G	文件：57 Kbytes Page：6 Pages	Axial?묹ead Standard Recovery Rectifiers 文件：57 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
1N5408G	文件：120.92 Kbytes Page：6 Pages	Axial-Lead Standard Recovery Rectifiers 文件：120.92 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
1N5408
制造商：
SMC Diode Solutions
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
30pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-201AD
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N5408供应商更新时间2026-4-17 9:37:00

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