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1N5403EG	文件：766.76 Kbytes Page：3 Pages	Glass Passivated Rectifiers ReverseVoltage-50to1000Volts ForwardCurrent-3.0Amperes Features ●Lowcost ●Lowreverseleakagecurrent ●Lowforwardvoltagedrop ●Highsurgecapacity ●MeetULflammabilityclassification94V-0 Applications ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,polarityprotecti	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
1N5403G	文件：59.46 Kbytes Page：2 Pages	3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER FeaturesandBenefits •GlassPassivatedDieConstruction •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto125APeak •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5403G	文件：50.43 Kbytes Page：2 Pages	3A GENERAL PURPOSE GPP DIODES 3AGENERALPURPOSEGPPDIODES	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
1N5403G	文件：84.38 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED RECTIFIERS FEATURES Theplasticpackagecarriesunderwriteslaboratory flammabilityclassification94V-O Highcurrentcapability Lowreverseleakage Hightemperaturesolderingguaranteed: 350℃/10seconds,0.375(9.5mm)leadlength,5lbs,(2.3kg)tension Glasspassivatedjunction Low	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N5403G	文件：34.94 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED RECTIFIERS FEATURES ●Lowcost ●Diffusedjunction ●Lowforwardvoltagedrop ●Lowreverseleakagecurrent ●Highcurrentcapability ●TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
1N5403G	文件：1.02273 Mbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES ◆TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◆Constructionutilizesvoid-free moldedplastictechnique ◆Lowreverseleakage ◆Highforwardsurgecurrentcapability ◆	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1N5403G	文件：204.3 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIERS ReverseVoltage-50to1000V ForwardCurrent-3A Features •Highcurrentcapability •Glasspassivatedjunction •Lowforwardvoltagedrop •Lowreverseleakage •TheplasticpackagecarriesULflammabilityclassification94V-0 MechanicalData •Case:Moldedplas	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5403G	文件：621.17 Kbytes Page：2 Pages	SILICON RECTIFIER FEATURES •GlassPassivatedchipjunction •Highcurrentcapability •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Octilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakage.	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING
1N5403G	文件：111.95 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A VOLTAGE:50Vto1000VCURRENT:3.0A FEATURE Moldedcasefeatureforautoinsertion Highcurrentcapability Lowleakagecurrent Highsurgecapability Hightemperaturesolderingguaranteed 250°C/10sec/0.375leadlengthat5lbstension GlassPassivatedchip	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
1N5403G	文件：454.56 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED RECTIERS FEATURES Theplasticpackagecarriesunderwriteslaboratory flammabilityclassification94V-O Highcurrentcapability Lowreverseleakage Hightemperaturesolderingguaranteed: vvvvv350/10seconds,0.375(9.5mm)leadlength, wwc5lbs,(2.3kg)tension Glasspassivatedjunction Lowforwardv	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG

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产品属性

产品编号：
1N5403
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
30pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-201AD
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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