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1N5402-T	文件：67.85 Kbytes Page：3 Pages	3.0A RECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5402-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AD，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
1N5402-T3	文件：39.66 Kbytes Page：3 Pages	3.0A SILICON RECTIFIER -DiffusedJunction -LowForwardVoltageDrop -HighCurrentCapability -HighReliability -HighSurgeCurrentCapability	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5402-TB	文件：39.66 Kbytes Page：3 Pages	3.0A SILICON RECTIFIER -DiffusedJunction -LowForwardVoltageDrop -HighCurrentCapability -HighReliability -HighSurgeCurrentCapability	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5402-T3	文件：48.39 Kbytes Page：4 Pages	3.0A STANDARD DIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5402-TB	文件：48.39 Kbytes Page：4 Pages	3.0A STANDARD DIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5402-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AD，轴向；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1N5402	文件：61.34 Kbytes Page：2 Pages	3.0ARectifier ReverseVoltage:50to1000V ForwardCurrent:3.0A Features -DiffusedJunction -HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop -SurgeOverloadRatingto200APeak -LowReverseLeakageCurrent -PlasticMaterial:ULFlammability ClassificationRating94V-0 MechanicalData -Ca	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5402	文件：78.09 Kbytes Page：3 Pages	3AmpRectifier50-1000Volts Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LowCurrentLeakageandLowForwardVoltage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1N5402	文件：49.64 Kbytes Page：2 Pages	3AGENERALDIODES ReverseVoltage50to1200VForwardCurrent3.0A Feature PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoriesaFlammabilityClassification94V-0 Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique Lowreverseleakage Highforwardsurgecapability Diffusedjunction Hightemperature	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

产品属性

产品编号：
1N5402-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
50pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-201AD
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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