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1N5401GR

Low forward voltage drop

文件:321.57 Kbytes 页数:2 Pages

SECOS

喜可士

1N5401G-T

3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER

文件:65.26 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

1N5401G-T

3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER

文件:68.99 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

1N5401GU

3 .0 AMPS. Glass Passivated Rectifiers

文件:548.45 Kbytes 页数:2 Pages

DYELEC

迪一电子

1N5401GV

GLASS PASSIVATED RECTIFIER

文件:428.01 Kbytes 页数:5 Pages

RECTRON

丽正国际

1N5401G

General Purpose Diode

The UTC 1N5401G is a general purpose silicon rectifier, it usesUTC’s advanced technology to provide customers with high forwardsurge current and low reverse leakage, etc.

UTC

友顺

1N5401G

3A, 100V, Standard Recovery Rectifier

TSC

台湾半导体

1N5401G

整流二极管

LRC

乐山无线电

1N5401G

Package:DO-201AD,轴向;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

SMC Diode Solutions

SMC Diode Solutions

1N5401G

Package:DO-201AD,轴向;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 3A 100V DO-201AD

TSC

台湾半导体

产品属性

  • 产品编号:

    1N5401G

  • 制造商:

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    25pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-201AD,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-201AD

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 3A 100V DO-201AD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多1N5401G供应商 更新时间2026-1-30 17:31:00