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1N5393S	文件：132.22 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 文件：132.22 Kbytes 页数：2 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
1N5393-T3	文件：45.53 Kbytes Page：3 Pages	1.5A SILICON RECTIFIER Features ● Diffused Junction ● Low Forward Voltage Drop ● High Current Capability ● High Reliability ● High Surge Current Capability 文件：45.53 Kbytes 页数：3 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
1N5393-TB	文件：45.53 Kbytes Page：3 Pages	1.5A SILICON RECTIFIER Features ● Diffused Junction ● Low Forward Voltage Drop ● High Current Capability ● High Reliability ● High Surge Current Capability 文件：45.53 Kbytes 页数：3 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
1N5393_09	文件：101.5 Kbytes Page：3 Pages	General Purpose Rectifiers 文件：101.5 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
1N5393_13	文件：138 Kbytes Page：5 Pages	General-Purpose Rectifiers 文件：138 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
1N5393-AQ	文件：143.44 Kbytes Page：2 Pages	Standard Recovery Rectifier Diodes 文件：143.44 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
1N5393G	文件：47.64 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS 文件：47.64 Kbytes 页数：2 Pages	EIC	EIC
1N5393G	文件：482.86 Kbytes Page：2 Pages	1.5 AMPS. Glass Passivated Rectifiers 文件：482.86 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
1N5393G	文件：814.03 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED RECTIFIERS 文件：814.03 Kbytes 页数：2 Pages	DACO 罡境电子	DACO
1N5393G	文件：72.81 Kbytes Page：3 Pages	1.5A GLASS PASSIVATED RECTIFIER 文件：72.81 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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产品属性

产品编号：
1N5393
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1.5A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
25pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AC，DO-15，轴向
供应商器件封装：
DO-15
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15

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