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1N5361	文件：281.2 Kbytes Page：3 Pages	5W SILICON PLANAR ZENER DIODES FEATURES •Lowleakage,lowzenerimpedanceatlowcurrent •Maximumpowerdissipationof5Wisideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10secondsatterminals •Standardzenervoltagetoleranceavailableis±20.Suffix“A” in	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
1N5361A	文件：31.7 Kbytes Page：2 Pages	SILICON ZENER DIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC discrete Semiconductors
1N5361A	文件：121.99 Kbytes Page：3 Pages	SILICON ZENER DIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC discrete Semiconductors
1N5361A	文件：204.32 Kbytes Page：1 Pages	5-WATT ZENER REGULATOR DIODES 3.3-200 VOLTS 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
1N5361B	文件：87.54 Kbytes Page：6 Pages	5 WATT ZENER REGULATOR DIODES 3.3-200 VOLTS 5-WattSurmetic40SiliconZenerDiodes	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司
1N5361B	文件：267.56 Kbytes Page：5 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODE VOLTAGE-11TO200VoltsPower-5.0Watts FEATURES Lowprofilepackage Built-instrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance TypicalIDlessthan1Aabove13V Hightemperaturesoldering:260/10secondsatterminals PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory Flammability	TRSYS Transys Electronics
1N5361B	文件：428.22 Kbytes Page：5 Pages	5 Watt Surmetic 40 Silicon Zener Diodes 5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes •••acompleteseriesof5WattZenerDiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon-oxide-passivatedjunctions.Allthisisinanaxial-lead,transfer-moldedplasticpackagethatoffersprote	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司
1N5361B	文件：63.53 Kbytes Page：3 Pages	5W ZENER DIODE Features •VoltageRange8.2V-200V •GlassPassivatedJunction •5WSteadyState •HighSurgeCapability •±5VoltageToleranceonNominalVZisStandard •100Tested	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
1N5361B	文件：114.89 Kbytes Page：2 Pages	SILICON 5 WATT ZENER DIODES DESCRIPTION The1N5333-5388BJEDECregisteredseriesofaxial-leaded5.0wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbyspecificsuffixletteronthepartnumber.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificatio	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N5361B	文件：93.38 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) •Maximumpowerdissipation5W •NominalZ-voltage8.7…200V •Plasticcase~DO-201 •Weightapprox.1g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopackseepage1	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克

技术参数

Pricing ($/Unit)：
$0.1075
Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
VZ Typ (V)：
27
P Max (W)：
5
Package Type：
Surmetic 40

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华斯顿科技有限公司	1N5361	VISHAYMAS	25+23+	1702	50686	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
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更多1N5361供应商更新时间2025-8-2 16:49:00

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