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1N5230B-T

500mW EPITAXIAL ZENER DIODE

文件:60.22 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

1N5230B-T

Package:DO-204AH,DO-35,轴向;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1N5230B-T

Package:DO-204AH,DO-35,轴向;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

DIODES

美台半导体

1N5230B-TP

1N5230B-TP - 齐纳二极管, 500mW, 4.7V, DO-35

MCC

美微科

1N5230B-TP

Package:DO-204AH,DO-35,轴向;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

Micro Commercial Co

Micro Commercial Co

产品属性

  • 产品编号:

    1N5230B-T

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 容差:

    ±5%

  • 工作温度:

    175°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AH,DO-35,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-35(DO-204AH)

  • 描述:

    DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

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更多1N5230B-T供应商 更新时间2025-11-23 16:30:00