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1N4936-TB

1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER

Features • Diffused Junction • Low Forward Voltage Drop • High Current Capability • High Reliability • High Surge Current Capability

文件:47.12 Kbytes 页数:3 Pages

WTE

Won-Top Electronics

1N4936_15

Fast Recovery Rectifiers

文件:200.18 Kbytes 页数:7 Pages

LRC

乐山无线电

1N4936-A

1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER

文件:67.6 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

1N4936-B

1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER

文件:67.6 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

1N4936G

1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER

文件:88.29 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

1N4936G

1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER

文件:85.62 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

1N4936G

GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY RECTIFIERS

文件:75.53 Kbytes 页数:2 Pages

EIC

1N4936G

FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER

文件:28.82 Kbytes 页数:2 Pages

RECTRON

丽正国际

1N4936G

Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers

文件:376.3 Kbytes 页数:4 Pages

TSC

台湾半导体

1N4936G

GLASS PASSIVATED JUNCTION

文件:86.11 Kbytes 页数:2 Pages

BILIN

银河微电

产品属性

  • 产品编号:

    1N4936

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    12pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AL,DO-41,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-41

  • 工作温度 - 结:

    -50°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多1N4936供应商 更新时间2026-1-24 20:06:00