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1N4003G	文件：170.59 Kbytes Page：4 Pages	1.0AGENERALPURPOSESILICONRECTIFIER 1.0AGeneralPurposeSiliconRectifier Features •Glasspassivatedjunction •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecurrentcapability •Hightemperaturesolderingguaranteed265°C/10seconds /.037(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension •RoHSComplian	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
1N4003G	文件：59.95 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GlassPassivatedRectifiers FEATURES -Glasspassivatedchipjunction -Highcurrentcapability,LowVF -Highreliability -Highsurgecurrentcapability -Lowpowerloss,highefficiency -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUand inaccordancetoWEEE2002/	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
1N4003G	文件：66.5 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPGLASSPASSIVATEDRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Glasspassivatedjunction	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM
1N4003G	文件：47.25 Kbytes Page：2 Pages	AXIALSILASTICGUARDJUNCTIONSTANDARDRECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT1.0Ampere FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Lowforwardvoltagedrop •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecurrentcapability •Hightemperaturesolderingguaranteed 260℃/10secods,0.375”(9.5mm)leadlength at5lbs(2.3kg)tensio	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
1N4003G	文件：39.61 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSILICONRECTIFIER VOLTAGE：50-1000VCURRENT：1.0A FEATURES •Highreliability •Lowleakage •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
1N4003G	文件：198.8 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONRECTIFIER ReverseVoltage–50to1300Volts ForwardCurrent–1.0Ampere Features •Lowforwardvoltagedrop •HighSurgecurrentcapability	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N4003G	文件：89.9 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONRECTIFIERVOLTAGE:50TO1000VCURRENT:1.0A VOLTAGE:50TO1000VCURRENT:1.0A FEATURE Moldedcasefeatureforautoinsertion Highcurrentcapability Lowleakagecurrent Highsurgecapability Hightemperaturesolderingguaranteed 250°C/10sec/0.375leadlengthat5lbstension GlassPassivatedchip	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
1N4003G	文件：144.29 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGE50V~1000V1.0AMPGlassPassivatedSiliconRectifiers FEATURES •RoHSCompliantProduct •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighReliability •HighSurgeCurrentCapability	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
1N4003G	文件：37.15 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONRECTIFIERS PRV:50-1000Volts Io:1.0Ampere FEATURES: Glasspassivatedchip Highcurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent *Lowforwardvoltagedrop	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1N4003G	文件：62.27 Kbytes Page：3 Pages	1.0AGLASSPASSIVATEDRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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产品属性

产品编号：
1N4003B-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
15pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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