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1N4003FH	文件：1.78265 Mbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeSilionRectifiers	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N4003FL	文件：123.01 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposePlasticRectifier	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
1N4003FL	文件：1.05019 Mbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSilionRectifiers	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N4003G	文件：35.82 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-1.0Amperes FEATURES ●Lowcost ●Diffusedjunction ●Lowforwardvoltagedrop ●Lowreverseleakagecurrent ●Highcurrentcapability ●TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
1N4003G	文件：45.17 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadStandardRecoveryRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N4003G	文件：139.31 Kbytes Page：2 Pages	RATINGSANDCHARACTERISTICCURVES VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES: Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
1N4003G	文件：234.37 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GlassPassivatedRectifiers Features ♦Glasspassivatedchipjunction. ♦Highefficiency,LowVF ♦Highcurrentcapability ♦Highreliability ♦Highsurgecurrentcapability ♦Lowpowerloss	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
1N4003G	文件：217.55 Kbytes Page：2 Pages	CURRENT1.0AmpereVOLTAGE50to1300Volts Features •TheplasticpackagecarriesUnderwritesLaboratory FlammabilityClassification94V-0 •Highcurrentcapability •Lowreverseleakage •Glasspassivatedjunction •Lowforwardvoltagedrop •Hightemperaturesolderingguaranteed:350℃/10seconds, 0.375(9.5mm)leadlength,	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
1N4003G	文件：16.329 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONRECTIFIERS PRV:50-1000Volts Io:1.0Ampere FEATURES: Glasspassivatedchip Highcurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N4003G	文件：32.369 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPGLASSPASSIVATEDRECTIFIERS 1.0AAxialLeadedGeneral PurposeRectifiers-50V-1000V Features •Axialleadtypedevicesforthroughholedesign. •Highcurrentcapability. •Highsurgecapability. •Glasspassivatedchipjunctioninside •Lead-freepartsmeetenvironmentalstandardsof MIL-STD-19500/228 •Suffix	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

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产品属性

产品编号：
1N4003B-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
15pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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