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1N4003	文件：183.32 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIERVOLTAGERANGE50TO1000VoltsCurrent1Ampere VOLTAGERANGE50TO1000VoltsCurrent1Ampere FEATURES ＊Lowcostconstruction ＊Lowforwardvoltagedrop ＊Lowreverseleakage ＊Highforwardsurgecurrentcapability ＊Hightemperaturesolderingguaranteed260℃/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
1N4003	文件：63.77 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000Volts ForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES •TheplasticpackagecarriesUnderwritesLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecurrentcapability •Hightempe	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
1N4003	文件：176.69 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeRectifiers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
1N4003	文件：188.99 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPSILICONRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
1N4003	文件：264.4 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SiliconRectifiers Features ◇Highefficiency,LowVF ◇Highcurrentcapability ◇Highreliability ◇Highsurgecurrentcapability ◇Lowpowerloss	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. Daya Electric Group Co., Ltd.	DAYA
1N4003	文件：47.41 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-1.0Ampere FEATURES ●Lowcost ●Diffusedjunction ●Lowforwardvoltagedrop ●Lowreverseleakagecurrent ●Highcurrentcapability ●TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0	CTC ctconline	CTC
1N4003	文件：95.27 Kbytes Page：1 Pages	LEADED(THRU-HOLE)GeneralPurposeRectifiers,1to8Amps LEADED(THRU-HOLE) GeneralPurposeRectifiers,1to8Amps	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
1N4003	文件：664.44 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ●Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Hightem	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
1N4003	文件：82.23 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPS.SiliconRectifiers Features ◇Highcurrentcapability. ◇Highefficiency,LowVF. ◇Highsurgecurrentcapability. ◇Lowprwerloss ◇GreencompoundwithsuffixGonpackingcodeandPrefixGondatecode. ◇Highreliabilitygrade(AECQ101qualified).	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
1N4003	文件：167.33 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIERVOLTAGERANGE50TO1000VoltsCurrent1Ampere VOLTAGERANGE50TO1000VoltsCurrent1Ampere FEATURES ＊Lowcostconstruction ＊Lowforwardvoltagedrop ＊Lowreverseleakage ＊Highforwardsurgecurrentcapability ＊Hightemperaturesolderingguaranteed260℃/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	SILANSilan 士兰	SILAN
1N4003	文件：39.87 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSILICONRECTIFIER FEATURE .Highcurrentcapability .Lowforwardvoltagedrop .Lowpowerloss,highefficiency .Highsurgecapability .Hightemperaturesolderingguaranteed260°C/10sec/0.375leadlengthat5lbstension	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
1N4003	文件：55.01 Kbytes Page：3 Pages	1.0ARECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
1N4003	文件：113.01 Kbytes Page：1 Pages	SILICONRECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowcost Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N4003	文件：96.43 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifierDiodes??Silizium-Gleichrichterdioden	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N4003	文件：82.44 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposePlasticRectifier FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC TYPICALAPPLICATIONS Foruseingeneralpurposerectificationofpower	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N4003	文件：52.45 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGE50~1000V1.0A,SiliconRectifiers	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
1N4003	文件：144.1 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPS.SiliconRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
1N4003	文件：262.07 Kbytes Page：2 Pages	AXIALSILASTICGUARDJUNCTIONSTANDARDRECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT1.0Ampere FEATURES ·Lowcoatconstruction ·Lowforwardvoltagedrop ·Lowreverseleakage ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
1N4003	文件：147.25 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIER VOLTAGE-50to1000VoltsCURRENT-1.0Ampere FEATURES ●Lowforwardvoltagedrop ●Highcurrentcapability ●Highreliability ●Highsurgecurrentcapability ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N4003	文件：54.35 Kbytes Page：2 Pages	SILICONRECTIFIERDIODES PRV:50-1300Volts Io:1.0Ampere FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC

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产品属性

产品编号：
1N4003B-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
15pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

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更多1N4003B-G供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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