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1EDI20I12MH	文件：509.32 Kbytes Page：18 Pages	Single channel IGBT gate driver IC with clamp in wide body package 文件：509.32 Kbytes 页数：18 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
1EDI20I12MH	文件：223.99 Kbytes Page：2 Pages	1200 V galvanically isolated single-channel wide body gate driver IC family 文件：223.99 Kbytes 页数：2 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
1EDI20I12MH	文件：513.169 Kbytes Page：18 Pages	EiceDRIVER??1EDI Compact 文件：513.169 Kbytes 页数：18 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
1EDI20I12MH	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200 V单个高边栅极驱动器IC，具有电气隔离、独立的汇/源输出和短路箝位 EiceDRIVER™ 紧凑型电气隔离单通道 IGBT 驱动器 IC,采用 CT 技术宽体封装, 用于 600V/1200V IGBT 模块。\n \n • 1200V 无芯变压器隔离驱动器 IC\n• 3 A 轨对轨输出 1200V 无芯变压器隔离驱动器 IC\n• 具备 8 毫米爬电距离的 300 mil 宽体封装\n• 有源米勒箝\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
1EDI20I12MHXUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：隔离器隔离器 - 栅极驱动器描述：IC IGBT DVR 1200V 8DSO	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
1200 V
Output Current Source min：
2 A
Output Current Source：
4.4 A
Output Current Sink min：
2 A
Output Current Sink：
4.1 A
Channels：
1
Configuration：
High-side
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Galvanic isolation - Functional
Switch Type：
IGBT/SiC MOSFET
Package name：
PG-DSO-8
UVLO Input Off：
2.75 V
UVLO Output Off：
11.1 V
Turn On Propagation Delay max：
330 ns
Turn On Propagation Delay：
300 ns
Turn On Propagation Delay min：
270 ns
Turn Off Propagation Delay max：
330 ns
Turn Off Propagation Delay：
300 ns
Turn Off Propagation Delay min：
270 ns
Input Vcc min：
3.1 V
Input Vcc max：
17 V
Output Vbs min：
13 V
Output Vbs max：
18 V
Rise Time max：
20 ns
Rise Time：
10 ns
Rise Time min：
5 ns
Fall Time max：
19 ns
Fall Time：
9 ns
Fall Time min：
3 ns
UVLO Input On：
2.85 V
UVLO Output On：
12 V

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