650 V high-side gate driver with over current protection (OCP), multi-function RCIN/Fault/Enable (RFE) and integrated bootstrap diode (BSD)

Features • Infineon thin-film-SOI-technology • Maximum blocking voltage +650 V • Output source/sink current +4 A/ -4 A • Maximum supply voltage of 25 V • Integrated ultra-fast, low RDS(ON) Bootstrap Diode • Negative VS transient immunity of 100 V • Detection of over current and under voltag

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INFINEON

英飞凌

650 V high-side gate driver with over current protection (OCP), multi-function RCIN/Fault/Enable (RFE) and integrated bootstrap diode (BSD)

Features • Infineon thin-film-SOI-technology • Maximum blocking voltage +650 V • Output source/sink current +4 A/ -4 A • Maximum supply voltage of 25 V • Integrated ultra-fast, low RDS(ON) Bootstrap Diode • Negative VS transient immunity of 100 V • Detection of over current and under voltag

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650 V 高端栅极驱动器 IC，具有过流保护 (OCP)、多功能 RCIN/故障/启用 (RFE) 和集成自举二极管 (BSD)

EiceDRIVER ™ 650 V 高压单通道栅极驱动器 IC，具有典型的 4 A 拉电流和 4 A 灌电流，采用 DSO-8 封装，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。 • 英飞凌薄膜 SOI 技术\n • 最大阻断电压 +650 V\n • 输出拉电流/灌电流 +4 A/ -4 A\n • 最大供电电压 25 V\n • 集成自举二极管\n • 100 V 的负 VS 瞬态抗扰度\n • 过流和欠压保护\n • 多功能 RFE 引脚功能\n • 传播延迟小于 100 纳秒\n • DSO-8 封装\n • 符合 RoHS 规定;

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英飞凌/实单必成

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