1ED21471S65F中文资料650 V 高端栅极驱动器 IC，具有过流保护 (OCP)、多功能 RCIN/故障/启用 (RFE) 和集成自举二极管 (BSD)数据手册Infineon规格书

描述 Description

EiceDRIVER ™ 650 V 高压单通道栅极驱动器 IC，具有典型的 4 A 拉电流和 4 A 灌电流，采用 DSO-8 封装，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。

特性 Features

• 英飞凌薄膜 SOI 技术

• 最大阻断电压 +650 V

• 输出拉电流/灌电流 +4 A/ -4 A

• 最大供电电压 25 V

• 集成自举二极管

• 100 V 的负 VS 瞬态抗扰度

• 过流和欠压保护

• 多功能 RFE 引脚功能

• 传播延迟小于 100 纳秒

• DSO-8 封装

• 符合 RoHS 规定

应用 Application

• 轻型电动车解决方案