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18N60-ML	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar Power MOSFET (N-CH)	UTC 友顺	UTC
IXFA18N60X	文件：189.15 Kbytes Page：6 Pages	Preliminary Technical Information 文件：189.15 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFA18N60X	文件：300.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFH18N60P	文件：171.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density 文件：171.16 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

VGS(±V)：
±30
ID(A)：
18
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
400
CISSTYP.(pF)：
3000
COSSTYP.(pF)：
272
CRSSTYP.(pF)：
10
QgTYP.(nC)：
67
QgsTYP.(nC)：
21
QgdTYP.(nC)：
17
VGS(th)(V)MIN.：
2
VGS(th)(V)MAX.：
4
TrrTYP.(nS)：
450
QrrTYP.(nC)：
15600
Package：
TO-220F1_TO-220F2

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