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15N06	文件：247.26 Kbytes Page：6 Pages	N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 15N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) 文件：247.26 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
15N06	文件：245.73 Kbytes Page：6 Pages	15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：245.73 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
15N06	文件：67.34 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching 文件：67.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
15N06	文件：1.00223 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.00223 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
15N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar Power MOSFET (N-CH) The UTC 15N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. • RDS(ON)< 100mΩ @VGS=5V, I D=7.5A \n• Low capacitance \n• Low gate charge \n• Fast switching capability \n• Avalanche energy specified;	UTC 友顺	UTC
15N06_12	文件：245.73 Kbytes Page：6 Pages	15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：245.73 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
15N06_15	文件：271.33 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：271.33 Kbytes 页数：7 Pages	UTC 友顺	UTC
15N06G-S08-R	文件：271.33 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：271.33 Kbytes 页数：7 Pages	UTC 友顺	UTC
15N06G-S08-R	文件：245.73 Kbytes Page：6 Pages	15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：245.73 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
15N06G-S08-T	文件：245.73 Kbytes Page：6 Pages	15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：245.73 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

VGS(±V)：
±15
ID(A)：
15
CISSTYP.(pF)：
347
COSSTYP.(pF)：
136
CRSSTYP.(pF)：
19
QgTYP.(nC)：
10
QgsTYP.(nC)：
5
QgdTYP.(nC)：
3
VGS(th)(V)MIN.：
1
VGS(th)(V)MAX.：
2.5
TrrTYP.(nS)：
36
QrrTYP.(nC)：
0.098
Package：
SOP-8_TO-252_TO-220_TO-220F_TO-220F1_TO-220F2_TO-251

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