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HGTP12N60C3D	文件：154.92 Kbytes Page：8 Pages	24A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes ThisfamilyofMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatelybetwee	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
P12N60C3	文件：131.23 Kbytes Page：6 Pages	24A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTs Description TheHGTP12N60C3,HGT1S12N60C3andHGT1S12N60C3SareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchl	HARRIS Harris Corporation	HARRIS

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HGTP12N60C3D

文件：154.92 Kbytes

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24A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes

ThisfamilyofMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatelybetwee

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

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24A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTs

Description TheHGTP12N60C3,HGT1S12N60C3andHGT1S12N60C3SareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchl

HARRIS

Harris Corporation

HARRIS

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深圳市博浩通科技有限公司	12N60C3D	仙童英飞凌哈里斯	23+	TO-247	3000	全新原装	询价
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更多12N60C3D供应商更新时间2025-5-17 14:02:00

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