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10N60

丝印:10N60;Package:TO-220C;10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:976.2 Kbytes 页数:11 Pages

WXDH

东海半导体

10N60

丝印:10N60;Package:TO-220C;10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:964.56 Kbytes 页数:11 Pages

WXDH

东海半导体

10N60

丝印:10N60;Package:TO-220C;10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:964.93 Kbytes 页数:11 Pages

WXDH

东海半导体

10N60

丝印:10N60;Package:TO-220C;10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:963.95 Kbytes 页数:11 Pages

WXDH

东海半导体

10N60

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a

文件:232.49 Kbytes 页数:9 Pages

UTC

友顺

10N60

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:330.13 Kbytes 页数:8 Pages

UTC

友顺

10N60

N-Channel Power MOSFET

文件:688.22 Kbytes 页数:9 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

10N60

600V N-Channel Power MOSFET

文件:2.24614 Mbytes 页数:9 Pages

DYELEC

迪一电子

10N60

10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:398.47 Kbytes 页数:8 Pages

UTC

友顺

10N60

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:2.72841 Mbytes 页数:8 Pages

SUNMATE

森美特

技术参数

  • Vdss(V):

    650

  • Vgss(V):

    30

  • Id(A):

    9.5

  • Package:

    TO-220/TO-200F/TO-22...

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-220
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全新原装正品现货,支持订货
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更多10N60供应商 更新时间2026-9-22 16:23:00