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1002	文件：392.79 Kbytes Page：6 Pages	型号：RM1002；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOS F ET GeneralFeatures HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent Excellentpackageforgoodheatdissipation	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
1002	文件：1.39726 Mbytes Page：5 Pages	型号：LM02N10A；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
1002	文件：595.4 Kbytes Page：6 Pages	型号：YJL02N10A；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
1002NCA	文件：718.79 Kbytes Page：15 Pages	型号：PHPT61002NYC；Package：LFPAK56；100V, 2 A NPN high power bipolar transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
1002NCC	文件：249.45 Kbytes Page：15 Pages	型号：PHPT61002NYCLH；Package：LFPAK56；100 V, 2 A NPN high power bipolar transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
1002PCA	文件：718.36 Kbytes Page：15 Pages	型号：PHPT61002PYC；Package：LFPAK56；100 V, 2 A PNP high power bipolar transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
1002PCC	文件：261.36 Kbytes Page：15 Pages	型号：PHPT61002PYCLH；Package：LFPAK56；100 V, 2 A PNP high power bipolar transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
1002
制造商：
Hubbell Wiring Device-Kellems
功能描述：
10A 2W MALE RCPT., 1'

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