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07N03LB	文件：275.93 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel-Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •dv/dtra	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
07N03LBG	文件：275.93 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel-Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •dv/dtra	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
07N03L	文件：1.63832 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
07N03L	文件：1.68909 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
07N03L_V01	文件：1.63832 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
EMB07N03HR	文件：219.18 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)7mΩ ID50A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司
EMB07N03V	文件：212.26 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)7mΩ ID24A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司
IPB07N03L	文件：166.56 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPD07N03L	文件：157.27 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries Feature •N-Channel •LogicLevel •LowOn-ResistanceRDS(on) •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Idealforfastswitchingbuckconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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IPP07N03LB	文件：338.98 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPP07N03LBG	文件：275.93 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel-Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •dv/dtra	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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IPU07N03L	文件：157.27 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries Feature •N-Channel •LogicLevel •LowOn-ResistanceRDS(on) •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Idealforfastswitchingbuckconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPU07N03LA	文件：242.43 Kbytes Page：9 Pages	Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

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