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丝印:045N10A;Package:TO-220;100 V N-Channel MOSFET • Fast switching speed • Low gate charge, QG=54 nC (typical) • High performance channel technology can achieve very low RDS(on). • High power and high current handling capacity • Meet RoHS standards •VDS=100V •ID(at VGS=10V)=100A •RDS(ON) (at VGS=10V) 文件:1.73694 Mbytes 页数:7 Pages | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 | UMW | ||
045N10A | 100 V N-Channel MOSFET • Fast switching speed • Low gate charge, QG=54 nC (typical) • High performance channel technology can achieve very low RDS(on). • High power and high current handling capacity • Meet RoHS standards •VDS=100V •ID(at VGS=10V)=100A •RDS(ON) (at VGS=10V) 文件:1.73694 Mbytes 页数:7 Pages | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 | UMW |
详细参数
- 型号:
045N10A
- 功能描述:
MSOFET N-CH 100V TO-220-3
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
PowerTrench®
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220 |
20300 |
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