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FDP045N10A

丝印:045N10A;Package:TO-220;100 V N-Channel MOSFET

• Fast switching speed • Low gate charge, QG=54 nC (typical) • High performance channel technology can achieve very low RDS(on). • High power and high current handling capacity • Meet RoHS standards •VDS=100V •ID(at VGS=10V)=100A •RDS(ON) (at VGS=10V)

文件:1.73694 Mbytes 页数:7 Pages

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

045N10A

100 V N-Channel MOSFET

• Fast switching speed • Low gate charge, QG=54 nC (typical) • High performance channel technology can achieve very low RDS(on). • High power and high current handling capacity • Meet RoHS standards •VDS=100V •ID(at VGS=10V)=100A •RDS(ON) (at VGS=10V)

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UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

详细参数

  • 型号:

    045N10A

  • 功能描述:

    MSOFET N-CH 100V TO-220-3

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    PowerTrench®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多045N10A供应商 更新时间2025-9-8 9:03:00