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SPD02N60C3	文件：294.92 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD02N60C3	文件：1.08852 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPN02N60C3	文件：2.08608 Mbytes Page：11 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeUltraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPN02N60C3	文件：259.97 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •Extremedv/dtrated •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP02N60C3	文件：338.47 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP02N60C3	文件：462.48 Kbytes Page：12 Pages	COOLMOSPOWERTRANSISTOR	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP02N60C3	文件：282.69 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SPS02N60C3	文件：1.19171 Mbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistorFeaturenewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPS02N60C3	文件：526.14 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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