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SPP02N60C3	文件：338.47 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP02N60C3	文件：282.69 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP02N60C3	文件：462.48 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP02N60C3	文件：462.48 Kbytes Page：12 Pages	COOL MOS POWER TRANSISTOR	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SPP02N60C3_09	文件：462.48 Kbytes Page：12 Pages	COOL MOS POWER TRANSISTOR	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
02N60C3	文件：1.71683 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ISPD02N60C3	文件：336.01 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPP02N60C3	文件：338.47 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB02N60C3	文件：189.48 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB02N60C3	文件：2.03131 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SPB02N60C3	文件：551.02 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD02N60C3	文件：1.01922 Mbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD02N60C3	文件：1.22437 Mbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD02N60C3	文件：336.01 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPD02N60C3	文件：294.92 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD02N60C3	文件：1.08852 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPN02N60C3	文件：259.97 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •Extremedv/dtrated •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPN02N60C3	文件：2.08608 Mbytes Page：11 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeUltraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
SPP02N60C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 1.8A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	SPP02N60C3	INFINEON	2020+	TO-220	18600	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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