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-2E	文件：81.36 Kbytes Page：11 Pages	型号：2N7002E；Package：SOT-23；N-channel TrenchMOS FET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology. Features ■Logiclevelthresholdcompatible ■Surface-mountedpackage ■Veryfastswitching ■TrenchMOStechnology Applications ■Logicleveltranslator ■High-sp	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI

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文件：81.36 Kbytes

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型号：2N7002E；Package：SOT-23；N-channel TrenchMOS FET

Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology. Features ■Logiclevelthresholdcompatible ■Surface-mountedpackage ■Veryfastswitching ■TrenchMOStechnology Applications ■Logicleveltranslator ■High-sp

PHIPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PHI

详细参数

型号：
-2E
功能描述：
MOSFET 60V 240mA 0.5W 3.0ohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多-2E供应商更新时间2025-8-3 23:00:00

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