| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
留言
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长电SOT-323 |
890000 |
24+ |
全新原装现货,假一罚十 |
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4年
留言
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恩XPSOT323 |
8540 |
2430+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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5年
留言
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PANJIT/强茂SOT-323 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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4年
留言
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恩XPSOT-323 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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12年
留言
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恩XPSOT-323 |
12000 |
2021+ |
勤思达 只做原装正品 现货供应 |
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4年
留言
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onsemi(安森美)SOT-323 |
2468 |
25 |
QQ询价 绝对原装正品 |
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5年
留言
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ON/安森美SOT-323 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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12年
留言
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ON原装优势现货 |
63000 |
25+ |
原装优势现货 |
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15年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-323 |
600000 |
25+ |
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NEXPERIA/安世全新特价BC847AW即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
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7年
留言
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恩XP标准封装 |
11998 |
24+ |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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8年
留言
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恩XPN/A |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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恩XPN/A |
20948 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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13年
留言
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恩XPSOT-323 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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1年
留言
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恩XPN/A |
8000 |
26+ |
原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单 |
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7年
留言
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NEXPERIA/安世原厂原封可拆样 |
65258 |
2026+ |
百分百原装现货 实单必成 |
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13年
留言
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恩XPNA |
20094 |
26+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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12年
留言
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恩XPSOT323 |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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3年
留言
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恩XPSOT-323 |
45815 |
22+ |
只做原装正品 |
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11年
留言
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恩XPSOT323 |
6885 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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7年
留言
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恩XPN/A |
16000 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
BC847AW采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BC847AW-7-F价格
BC847AW-7-F价格:¥0.0611品牌:Diodes
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BC847AW中文资料Alldatasheet PDF
更多BC847AW /T3功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC847AW RF功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC847AW T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC847AW,115功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC847AW,135功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC847AW-7功能描述:两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC847AW-7-F功能描述:两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC847AW-T功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC847AWT1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC847AWT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
























