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STGP10H60DF	文件：1.73583 Mbytes Page：24 Pages	Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP10H60DF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 115W TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
F10H60S	文件：164.11 Kbytes Page：5 Pages	HyperfastRecoveryPowerRectifier TheFFPF10H60Sishyperfast2rectifier(trr=25ns(Typ.)@IF=10A).ithashalftherecoverytimeofultrafastrectifierandissiliconnitridepassivatedion-implantedepitaxialplanarconstruction. Thisdeviceisintendedforuseasfreewheeling/clampingrectifiersinavarietyofswitchingpower	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCF10H60	文件：617.88 Kbytes Page：5 Pages	FastRecoveryDiode	KSSKyocera Kinseki Corpotation 近畿石油輸送株式会社	KSS
FFPF10H60S	文件：130.61 Kbytes Page：5 Pages	Hyperfast2Rectifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFPF10H60S	文件：620.41 Kbytes Page：17 Pages	PFCPWMCombinationController Introduction Thisapplicationnotedescribesstep-by-stepdesignconsiderationsforapowersupplyusingtheFAN480Xcontroller.TheFAN480XcombinesaPFCcontrollerandaPWMcontroller.ThePFCcontrolleremploysaveragecurrentmodecontrolforContinuousConductionMode(CCM)boostconverter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFPF10H60S	文件：682.46 Kbytes Page：15 Pages	PowerFactorCorrectionConverterDesign	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFPF10H60S	文件：164.11 Kbytes Page：5 Pages	HyperfastRecoveryPowerRectifier TheFFPF10H60Sishyperfast2rectifier(trr=25ns(Typ.)@IF=10A).ithashalftherecoverytimeofultrafastrectifierandissiliconnitridepassivatedion-implantedepitaxialplanarconstruction. Thisdeviceisintendedforuseasfreewheeling/clampingrectifiersinavarietyofswitchingpower	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFPF10H60STU	文件：164.11 Kbytes Page：5 Pages	HyperfastRecoveryPowerRectifier TheFFPF10H60Sishyperfast2rectifier(trr=25ns(Typ.)@IF=10A).ithashalftherecoverytimeofultrafastrectifierandissiliconnitridepassivatedion-implantedepitaxialplanarconstruction. Thisdeviceisintendedforuseasfreewheeling/clampingrectifiersinavarietyofswitchingpower	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFPF10H60STU	文件：130.61 Kbytes Page：5 Pages	Hyperfast2Rectifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FSF10H60	文件：643.32 Kbytes Page：5 Pages	FastRecoveryDiode	KSSKyocera Kinseki Corpotation 近畿石油輸送株式会社	KSS
GMR10H60C	文件：123.58 Kbytes Page：5 Pages	HIGHVOLTAGEPOWERSCHOTTKYRECTIFIER	GAMMA GAMMA electronics	GAMMA
GMR10H60C	文件：110.53 Kbytes Page：6 Pages	10ASCHOTTKYRECTIFIER	GAMMA GAMMA electronics	GAMMA
IKCM10H60GA	文件：1.19284 Mbytes Page：17 Pages	ControlIntegratedPOwerSystem	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKCM10H60GA	文件：731.27 Kbytes Page：26 Pages	iMOTION™ModularApplicationDesignKit Eval-M1-CM610N3isanevaluationboardformotordriveapplicationsbasedona3-phaseIPM.Combinedina kitwithoneoftheavailableMADKcontrolboardoptions,itdemonstratesInfineon'sIPMtechnologyformotor drives.ThekitdemonstratesInfineon’sIPMtechnologyformotordrives. Mainfeat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKCM10H60HA	文件：552.16 Kbytes Page：16 Pages	ControlIntegratedPOwerSystem	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
MBR10H60	文件：159.13 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR10H60	文件：1.20643 Mbytes Page：3 Pages	Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction SchottkyBarrierRectifiers Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlossandhighefficiency •Guardringforovervoltageprotection •Fo	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR10H60	文件：146.75 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierRectifier SchottkyBarrierRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequ	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR10H60	文件：72.45 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers HighVoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequenc	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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产品属性

产品编号：
STGP10H60DF
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.95V @ 15V，10A
开关能量：
83µJ（开），140µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
19.5ns/103ns
测试条件：
400V，10A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 20A 115W TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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