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STGW30N90D	文件：159.35 Kbytes Page：10 Pages	N-channel 900V - 30A - TO-247 Very fast PowerMESH IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW30N90D	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 900V 60A 220W TO247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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IHW30N90R	文件：304 Kbytes Page：12 Pages	ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: •1.5VtypicalsaturationvoltageofIGBT •TrenchandFieldstoptechnologyfor900Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -easyparallelswitchingcapabilityduetopositive temperaturecoefficientinVCE(sat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IHW30N90R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW30N90T	文件：293.73 Kbytes Page：12 Pages	SoftSwitchingSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW30N90T	文件：329.33 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithanti-paralleldiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnologywithanti-paralleldiode Features: •1.1VForwardvoltageofantiparalleldiode •TrenchStop®andFieldstoptechnologyfor900Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestab	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

产品属性

产品编号：
STGW30N90D
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.75V @ 15V，20A
开关能量：
1.66mJ（开），4.44mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
29ns/275ns
测试条件：
900V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 900V 60A 220W TO247

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