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STGW35HF60W	文件：639.12 Kbytes Page：17 Pages	35 A, 600 V Ultrafast IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW35HF60W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 200W TO247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW35HF60WD	文件：369.91 Kbytes Page：3 Pages	Trench Field-Stop IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=50A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·LowConductionLoss APPLICATIONS ·UninterruptedPowerSupply ·SolarConverters ·Weldingmachine ·EVCharger	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STGW35HF60WDI	文件：1.05555 Mbytes Page：15 Pages	35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode Description ThisultrafastIGBTisdevelopedusinganew planartechnologytoyieldadevicewithtighter switchingenergyvariation(Eoff)versus temperature.ThesuffixWdenotesasubsetof productsdesignedforhighswitchingfrequency operation(over100kHz). Features ■ImprovedEo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW35HF60WD	文件：455.17 Kbytes Page：12 Pages	35 A, 600 V ultra fast IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGW35HF60WDI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 200W TO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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产品属性

产品编号：
STGW35HF60W
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，20A
开关能量：
290µJ（开），185µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/175ns
测试条件：
400V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 60A 200W TO247

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