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STGP10NC60H	文件：104.11 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 VERY FAST PowerMESH??IGBT Generalfeatures ■LOWERON-VOLTAGEDROP(Vcesat) ■LOWERCRES/CIESRATIO(NO CROSS-CONDUCTIONSUSCEPTIBILITY) ■VERYSOFTULTRAFASTRECOVERY ANTIPARALLELDIODE Description Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedon apatentedstriplayout,STMicroelectronicshas designedana	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60H	文件：272.72 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 10A - 600V - TO-220 Very fast PowerMESH TM IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60H	文件：315.32 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 10A - 600V - TO-220 Very fast PowerMESH IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60H	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 60W TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60HD	文件：771.12 Kbytes Page：19 Pages	600 V - 10 A - very fast IGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60H_06	文件：272.72 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 10A - 600V - TO-220 Very fast PowerMESH TM IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60H_07	文件：315.32 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 10A - 600V - TO-220 Very fast PowerMESH IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60HD	文件：453.39 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60HD	文件：410.77 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP very fast PowerMESH IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60HD	文件：774.03 Kbytes Page：19 Pages	600 V - 10 A - very fast IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60HD	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 65W TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GB10NC60HD	文件：453.39 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V-10A-TO-220-D2PAKVeryfastPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GB10NC60HD	文件：410.77 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-10A-TO-220-D2PAK-TO-220FPveryfastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GB10NC60K	文件：599.36 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-10A-D2PAK/TO-220/DPAKShortcircuitratedPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GB10NC60KD	文件：379.54 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-10A-D2PAK/TO-220/TO-220FPShortcircuitratedPowerMESHIGBT Description Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“K”identifiesafamilyoptimizedforhighfrequencymotorcontrolapplicationswit	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GB10NC60KD	文件：526.13 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-10A-D2PAK/TO-220/TO-220FPShortcircuitratedPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GD10NC60H	文件：428.18 Kbytes Page：14 Pages	N-channel10A-600V-DPAKVeryfastPowerMESH??IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GD10NC60HD	文件：771.12 Kbytes Page：19 Pages	600V-10A-veryfastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GD10NC60K	文件：599.36 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-10A-D2PAK/TO-220/DPAKShortcircuitratedPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GD10NC60KD	文件：467.28 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V-10A-DPAKShortcircuitratedPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
STGP10NC60H
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，5A
开关能量：
31.8µJ（开），95µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
14.2ns/72ns
测试条件：
390V，5A，10欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 20A 60W TO220

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