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STGW28IH125DF	文件：1.3818 Mbytes Page：17 Pages	1250 V, 30 A IH series trench gate field-stop IGBT Description TheseIGBTsaredevelopedusinganadvanced proprietarytrenchgatefield-stopstructureand performanceisoptimizedinbothconductionand switchinglosses.Afreewheelingdiodewithalow dropforwardvoltageisco-packaged.Theresultis aproductspecificallydesignedtomax	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW28IH125DF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1250V 60A 375W TO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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1250 V, 30 A IH series trench gate field-stop IGBT

Description TheseIGBTsaredevelopedusinganadvanced proprietarytrenchgatefield-stopstructureand performanceisoptimizedinbothconductionand switchinglosses.Afreewheelingdiodewithalow dropforwardvoltageisco-packaged.Theresultis aproductspecificallydesignedtomax

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包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1250V 60A 375W TO-247

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1250V,30AIHseriestrenchgatefield-stopIGBT

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产品属性

产品编号：
STGW28IH125DF
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，25A
开关能量：
720µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
-/128ns
测试条件：
600V，25A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
IGBT 1250V 60A 375W TO-247

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