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STGWA15M120DF3	文件：1.05434 Mbytes Page：19 Pages	Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefield-stopstructure.ThedeviceispartoftheMseriesofIGBTs,whichrepresentanoptimumcompromiseinperformancetomaximizetheefficiencyofinvertersystemswherelow-lossandshortcircuitcapability	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGWA15M120DF3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 30A 259W	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefield-stopstructure.ThedeviceispartoftheMseriesofIGBTs,whichrepresentanoptimumcompromiseinperformancetomaximizetheefficiencyofinvertersystemswherelow-lossandshortcircuitcapability

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包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 30A 259W

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产品属性

产品编号：
STGWA15M120DF3
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，15A
开关能量：
550µJ（开），850µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/122ns
测试条件：
600V，15A，22 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247 长引线
描述：
IGBT 1200V 30A 259W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市英博尔电子有限公司	STGWA15M120DF3	ST	23+	TO247	10000	全新、原装	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	STGWA15M120DF3	ST(意法半导体)	23+	TO-247	1330	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
中科国际电子(深圳)有限公司	STGWA15M120DF3	ST/意法	22+	TO-247	13579	原厂原装现货	询价
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深圳市华睿洋科技有限公司	STGWA15M120DF3	ST	22+	TO-247	30000	只做原装假一赔十	询价
深圳市智连鑫科技有限公司	STGWA15M120DF3	ST(意法半导体)	23+	N/A	8000	只做原装,正品	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	STGWA15M120DF3	ST	23+	TO-247 long leads	12500	ST系列在售,可接长单	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	STGWA15M120DF3	ST	新批次	TO-247	3000		询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	STGWA15M120DF3		23+	N/A	90150	正品授权货源可靠	询价

更多STGWA15M120DF3供应商更新时间2024-5-21 17:30:00

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