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STGW40H120F2

Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STGW40H120F2

包装:管件 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 40A HS TO-247

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STGWA40H120F2

Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries1200V,40Ahighspeed

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产品属性

  • 产品编号:

    STGW40H120F2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    1mJ(开),1.32mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    18ns/152ns

  • 测试条件:

    600V,40A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A HS TO-247

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更多STGW40H120F2供应商 更新时间2024-5-21 15:08:00