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STGP19NC60SD	文件：535.58 Kbytes Page：15 Pages	20 A, 600 V fast IGBT with Ultrafast diode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP19NC60SD	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 130W TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GB19NC60H	文件：663.63 Kbytes Page：15 Pages	19A-600V-veryfastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highfrequencyoperation Applications ■Highfrequencymotordrives ■SMPSandPFCi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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GF19NC60WD	文件：315.93 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V-7A-TO-220UltrafastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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产品属性

产品编号：
STGP19NC60SD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，12A
开关能量：
135µJ（开），815µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
17.5ns/175ns
测试条件：
480V，12A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 40A 130W TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STGP19NC60SD供应商更新时间2024-6-17 17:12:00

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