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|---|---|---|---|---|
STGP19NC60H | 19 A - 600 V - very fast IGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highfrequencyoperation Applications ■Highfrequencymotordrives ■SMPSandPFCi | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | |
STGP19NC60H | 19 A - 600 V - very fast IGBT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | |
STGP19NC60H | 包装：管件 封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 40A 130W TO220 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | |
19 A - 600 V - very fast IGBTE[ | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
19 A - 600 V - very fast IGBT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
19 A - 600 V - very fast IGBT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
包装：管件 封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 40A 130W TO220 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
19A-600V-veryfastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highfrequencyoperation Applications ■Highfrequencymotordrives ■SMPSandPFCi | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
19A-600V-veryfastIGBT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
20A-600V-shortcircuitruggedIGBT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
20A-600V-shortcircuitruggedIGBT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
N-channel600V-9A-TO-220FPVeryfastPowerMESHTMIGBT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
19A-600V-veryfastIGBT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
20A-600V-shortcircuitruggedIGBT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
20A,600VfastIGBTwithUltrafastdiode | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
N-channel600V-7A-TO-220UltrafastPowerMESHIGBT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
19A-600V-veryfastIGBT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
19A-600V-veryfastIGBT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
20A-600V-shortcircuitruggedIGBT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
20A-600V-shortcircuitruggedIGBT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS |
产品属性
- 产品编号：
STGP19NC60H
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，12A
- 开关能量：
85µJ（开），189µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/97ns
- 测试条件：
390V，12A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
IGBT 600V 40A 130W TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
08+(pbfree) |
TO220ABNONISOL |
8866 |
询价 | |||
STMicro. |
23+ |
TO-220 |
7750 |
全新原装优势 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TOTO-220ABNONISOL |
37650 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO220ABNONISOL |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
STM |
1809+ |
TO-220 |
1675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) |
31593 |
专业分立半导体,原装渠道正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO220ABNONISOL |
10000 |
公司只做原装正品 |
询价 | ||
22+ |
NA |
971 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | |||
ST |
22+ |
TO220 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
SOP8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |
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