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STGP10M65DF2	文件：945.33 Kbytes Page：18 Pages	Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low loss	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP10M65DF2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 10A TO-220AB	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
G10M65DF2	文件：1.14052 Mbytes Page：19 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alow-lossinD²PAKpackage Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThedeviceispartoftheMseries IGBTs,whichrepresentanoptimalbalance betweeninvertersystemperformanceand efficiencywherelow-lossandshort-circuit functionalityareess	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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产品属性

产品编号：
STGP10M65DF2
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，10A
开关能量：
120µJ（开），270µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
19ns/91ns
测试条件：
400V，10A，22 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 650V 10A TO-220AB

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